본 자료에는 하기와 같은 내용이 게재되어 있습니다.

• 1. 실리콘 카바이드란?
  • ① SiC의 물성과 특징
  • ② SiC 파워 디바이스의 특징
• 2. SiC 파워 디바이스의 개발 배경과 메리트
  • ① SiC 파워 디바이스의 개발 배경
  • ② SiC 파워 디바이스의 메리트
• 3. SiC 쇼트키 배리어 다이오드란?
  • ① SiC SBD의 특징과 Si SBD와의 비교
  • ② SiC SBD와 Si PN 접합 다이오드와의 비교
  • ③ SiC SBD의 역회복 특성
  • ④ SiC SBD의 순방향 전압 특성
  • ⑤ trr과 VF로 인한 손실에 관한 고찰
  • ⑥ SiC SBD의 진화
  • ⑦ SiC SBD 사용의 메리트
  • ⑧ SiC SBD의 신뢰성
• 4. SiC MOSFET란?
  • ① SiC MOSFET의 특징
  • ② 각종 파워 트랜지스터의 구조와 특징 비교
  • ③ Si MOSFET와의 차이점
  • ④ IGBT와의 차이점
  • ⑤ SiC MOSFET의 바디 다이오드 특성
  • ⑥ Trench 구조 SiC MOSFET
  • ⑦ SiC MOSFET의 신뢰성
• 5. Full SiC 파워 모듈이란?
  • ① Full SiC 파워 모듈의 스위칭 손실
  • ② 활용 포인트 : 게이트 드라이브
  • ③ 활용 포인트 : 스너버 콘덴서
  • ④ 활용 포인트 : 전용 게이트 드라이버와 스너버 모듈
  • ⑤ 서포트 툴 : Full SiC 모듈 손실 시뮬레이터
• 정리